WO3 фотоанодыг FTO дээр үндсэн үеийн дээр мезосүвэрхэг микро баганан эгнээ бүхий нэмэлт давхаргыг жигд хэмжээ, хэлбэр, урттайгаар байрлуулан фотоанод угсрах хялбар стэмп аргыг боловсруулсан.
Энэхүү аргыг ашиглан гадна талдаа m-µm урт бүхий мезосүвэрхэг WO3 микро баганан эгнээ үе болон доод талдаа n-µm зузаантай мезосүвэрхэг WO3 энгийн үеээс (m/n) бүрдэх WO3 хос давхаргат фотоанодыг бэлтгэгдсэн. Уг микро баганан эгнээ бүхий фотоанод (
2.5/
7.5)-ын тогтвортой төлөвийн үеийн фотогүйдлийн нягт 1.23 V (vs. RHE) болон AM 1.5 (1 Sun) нөхцөлд
3.6 mА см-2 буюу энэ нь дан энгийн үе бүхий 10-µм зузаантай WO3 фотоанодын гүйдлийн нягт (
2.5 mА см-2) -тай харьцуулахад маш өндөр байгаа юм.
Энэхүү өндөр үзүүлэлт нь дараах зургаан үзүүлэлт бүхий үр ашгийг харуулж байгаа юм. Үүнд: цахилгаан дамжих нягтрал нэмэгдсэн, фотоидэвхит электроны тоо нэмэгдсэн, цэнэгийн хуримтлагдах хурд нэмэгдсэн, фотоанодын хамгийн гаднах давхаргаас дотоод давхарга руу вектор хэлбэрээр цэнэг дамжуулах термодинамик шилжилт хийх боломж нэмэгдсэн, гадаргуугийн гидрофилик чанар нэмэгдсэн болон фотоанодын дамжуулалтын эсэргүүцэл буурсан зэрэг үндсэн үзүүлэлтүүдээр тодорхойлогдсон болно.
Боловсролын доктор(PhD)
Бүтээлийн тоо : 1
Ишлэгдсэн тоо : 0