Салбар : Байгалийн шинжлэх ухаан
Төслийн дугаар :
Төслийн төрөл : Дэвшилтэт
Хугацаа: 2008-2010
Санхүүжилт: 126600.00 мян.төг
Түлхүүр үг : зэс фталоцианин, орны нөлөөт транзистор, хөдлөц, микродолгионы микромэдрүүлийн арга, оптик шингээлт
Үр дүн
1. Вакуумд ууршуулах төхөөрөгт тасалгааны температуртай ITO шилэн суурь дээр суулгасан CuPc нимгэн хальсыг 1 цагийн турш 300C температурт ширээхэд α- ба β- фазын холимог тогтоц үүсч буйг рентген дифракцийн аргаар тогтоов.
2. ITO шилэн суурь дээрх суулгасан CuPc нимгэн хальсны 200C –аас дээш дулаан боловсруулалтад энергийн шууд хориотой бүсийн өргөн буурч буйг шингээлтийн спектрийн хэмжилтээр тогтоов.
3. ООММ аргаар ITO шилэн дээр суулгасан CuPc нимгэн хальсны дамжууллыг хэмжиж тасалгааны температурт суулгаад 1 цагийн турш 350 C –т ширээсэн хальсны дамжуулал 3.9•10-7 С/м , мөн адил суулгаад ширээлт хийгээгүй хальсны дамжуулал 2.6•10-9 С/м буйг тогтоов.
4. Шилэн суурьтай CuPc нимгэн хальсыг агаарт халааж дамжуулал ба температурын хамаарлыг хэмжиж дулаан боловсруулалтгүй хальсны идэвхжилийн энерги 1.88 эВ, суулгалтын дараа 200C температурт ширээсэн хальсны идэвхжилийн энерги 1.84 эВ, 350C –т ширээсэн хальсных 1.80 эВ хэмээн тодорхойлов.
5. ООММ-ийн сканчлах аргаар шилэн суурьтай CuPc нимгэн хальс руу Au электродоос инжекцлэж буй цэнэг зөөгчдийн орон зайн түгэлтийг илрүүлэн улмаар тэдгээрийн диффузийн урт ба үржвэрийг тооцоолов.
6. Тасалгааны температуртай суурь дээр суулгасан болон дараа нь өөр өөр температурт ширээсэн CuPc нимгэн хальснууд дээр суурилсан орны нөлөөт транзисторуудын ВАХ –ыг хэмжих тооцоо хийхэд бусад судлаачдын үр дүнтэй жишихүйц үр дүн гарав.