Шинжлэх Ухаан Технологийн Сан
Нэвтрэх

Молибдентын гадаргууд нанолитографи хийх технологи



Салбар : Инженерийн ухаан, технологи

Төслийн дугаар :

Төслийн төрөл : Докторын дараах инноваци

Хугацаа: 2016-2017

Санхүүжилт: 10,000.0 мян.төг

Түлхүүр үг : Механик хуулалтын арга, хоёр хэмжээст материал, идүүлэлт, ислийн үе

Үр дүн

1. Механик хуулалтын аргаар молибденитын дан үеийг гаргаж оптик болон атомын хүчний микроскоп, Раман спектроскоп болон фотолюминесценцийн аргуудаар баталгаажуулав.
2. Атомын хүчний микроскопын зүүний гадаргуугаас алслагдах байршлаас хамаарч орчны харьцангуй чийгшил 50-70% байх тохиолдолд литограф амжилттай явагддаг болохыг тогтоов.
3. Судалгааны ажлын үр дүнгээс үзвэл литографийн процесс үр дүн сайтай явагдах хурдны утга 1.0мкм/с, зүү болон суурины хоорондох хүчдэл сөрөг 10-11В болох нь тогтоогдов.
4. Литографийн дараа литографийн ул мөрийг арилгах зорилгоор идүүлэлт хийх бөгөөд молибденитын цөөн үеийн литографийн дараах идүүлэлтийг 0.05 M HCl-ийн уусмалаар 10 секунтын хугацаанд идүүлэлт хийхэд дээж алга болохгүй бөгөөд суурь хүртэл идэгдэхгүй болохыг тогтоов.
5. Энэхүү судалгааны ажилд нанометрийн түвшинд MoS2 ширхэгүүдэд литографи хийх шинэ технологийн горимыг боловсруулсан болно. Энэ горим нь атомын хүчний микроскопын хэмжилтээр баталгаажсан.
6. Хэмжилтийн үр дүнгээс үзвэл литографийн процессийн үед OH--ийн үе давхарга үүсэлгүйгээр литографийн зурвас үүссэн нь дээрх ионууд нь молибденитын гадаргуугаас хүхрийн атомуудыг “бөмбөгдсөн” болох нь тогтоогдов.
7. Энэ технологийг ашиглан MoS$_2$-ийн цөөн үеийн “хиймэл” ирмэг үүсгэн өмнө нь гарган авсан ширхэгийг дахин хуулах боломжтой тул "Механик хуулалтын" аргаар гарган авсан нимгэн дээжний зузааныг дахин бууруулах боломж бүрдсэн.
8. Суурин дээр 2D материал суулгахад агаарын молекулууд материалын завсарт сууж нэг үеийн зузааныг нэмэгдүүлдэг болохыг тодорхойлсон.
9. Гарсан үр дүнгээр Томсон Рейтерсын индекстэй сэтгүүлд 1, Мэргэжлийн сэтгүүлд 1, олон улсын хурлын эмхтгэлд 2 өгүүлэл, Гадаадад зохиогдсон ОУхуралд 1, дотоодод зохиогдсон Олон улсын хуралд 4, Үндэсний хэмжээний хуралд 1 илтгэл хэлэлцүүлсэн.

Удирдагч


Бүрэн эх

Эрдэм шинжилгээний бүтээл
1. Нэг сэдэвт бүтээл, ном, товхимол /нэр/

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
2. Эрдмийн зэрэг горилсон бүтээлийн нэр

3. Шинэ ба шинэчилсэн бүтээгдэхүүний загвар

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
4. Шинэ болон шинэчилсэн технологи /нэр/

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
5. Тоног төхөөрөмжийн туршилтын загвар

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
6. Батлагдсан стандарт

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
7. Зөвлөмж

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
8. Заавар

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
9. Патент

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
10.Ашигтай загварын гэрчилгээ


Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
12. Техник эдийн засгийн үндэслэл

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
13. Газрын зураг, атлас

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
14. Шинэ онол, теором

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
15. Эрдэм шинжилгээний өгүүлэл гадаад

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
1 Palleschi S Ottaviano L, D Perrozzi F;, Donarelli M Priante F, Nardone M; Benassi P, Gombosuren M Munkhsaikhan Mechanical exfoliation and layer number identifcation of MoS2 revisited 2017 Дэлгэрэнгүй
16. Эрдэм шинжилгээний өгүүлэл дотоод

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
1 Г.Мөнхсайхан, С. Палл, Л.Оттавиано Молибдений дисульфидын нимгэн үед атомын хүчний микроскопийн тусламжтай литографи явуулах аргачлал. Физик сэтгүүл. х. 85-87. он 2016 Дэлгэрэнгүй
2 S.Palleschi, F.Perrozzi, M.Donarelli, L.Ottaviano "Few Layers MoS2 Patterning by Atomic Force Microscopy Nanolithography" 2017 Дэлгэрэнгүй
3 О.А Cacioppo , М.Gombosuren, , L.Ottaviano, S.Palleschi, F.Perrozzi, , G.D, F.Priante, M.Nardone, G.Munkhsaikhan, , A.Lucia, G.Moccia "Layer number identifcation and engineering of mechanically exfoliated MoS2". 2017 Дэлгэрэнгүй
17.Эрдэм шинжилгээний илтгэл гадаад

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
1 L.Ottaviano,, S.Palleschi,, F. Perrozzi, M.Gonchigsuren, M.Gombosuren "Layer identification and engineering of mechanically exfoliated MoS2". 2017 Дэлгэрэнгүй
18.Эрдэм шинжилгээний илтгэл дотоод

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
1 Г.Мөнхсайхан, С.Палл, Л.Оттавиано Молибдений дисульфидын нимгэн үед атомын хүчний микроскопийн тусламжтай литографи явуулах аргачлал. 2016 Дэлгэрэнгүй
2 G.Munkhsaikhan, S.Palleschi, F.Perrozzi, M.Donarelli, L.Ottaviano "Few Layers MoS2 Patterning by Atomic Force Microscopy Nanolithography". 2017 Дэлгэрэнгүй
3 M.Gombosuren, L.Ottaviano, S.Palleschi, F.Perrozz, G.Munkhsaikhan, A.Lucia, G.Moccia, O.A. Cacioppo Layer number identification and engineering of mechanically exfoliated MoS2". 2017 Дэлгэрэнгүй
4 G.Munkhsaikhan. "Exfoliation of large-area molybdenum disulfide single layers". 2017 Дэлгэрэнгүй
5 K.Munkhsaikhan "Exfoliation of large-area molybdenum disulfide single layers". 2017 Дэлгэрэнгүй
6 G.Munkhsaikhan. "Exfoliation of large-area molybdenum disulfide single layers". Oral presentation. 2017 Дэлгэрэнгүй
19.Аргачлал

Зохиогч Бүтээлийн нэр Он
20.Ишлэл


Сэтгэгдэл бичих
Нэр :


СЭТГЭГДЛҮҮД