Шинжлэх Ухаан Технологийн Сан
Нэвтрэх

, Kh. Baljinnyam Simulation and modeling of radiation effects in nanometric volumes of silicon and water // International Conference on Material Science (ICMS), 18 to 21 August in Ulaanbaatar Mongolia, Materials 3-6



Салбар :
Он : 2017
Зохиогч

Бүтээлийн тоо :

Ишлэгдсэн тоо :




Үзсэн тоо(Нийт) 83
Сүүлийн сард 2
Татагдсан тоо(Нийт) 0
Сүүлийн сард 0
Ишлэгдсэн тоо 0
Сэтгэгдэл бичих
Нэр :


СЭТГЭГДЛҮҮД