Шилжигч уусгагчийн аргыг монокристаллыг ургуулахад хэрэглэсэн нь
Салбар : Байгалийн шинжлэх ухаан
Улсын дугаар :
Хамгаалсан он : 1977
Түлхүүр үг : хөдлөх чадвар, хагас дамжуулагч, ургуулах, монкристалл, зоны аргаар, ургуулах төхөөрөмж
Аннотаци
-Шилжигч уусгагчийн аргыг монокристаллыг ургуулахад хэрэглэсэн нь сэдэвт эрдмийн ажлын аннотаци:Шинжлэх ухаан болон үйлдвэрлэлд ялангуяа хагас дамжуулагч детектор болон лазерийг бүтээхэд хагас дамжуулагч хатуу уусмалыг хэрэглэх явдал нэмэгдэж байна. Хэт улаан туяаны фотодетекторыг хийхэд хэрэглэж байгаа гол материал бол Pb1-x Six Te-н нэгдэл юм. Тэгэхдээ уг материалын сайн чанарын монкристаллыг ургуулах маш бэрхшээлтэй байдаг. Учир нь тухайн хагас дамжуулагч нэгдлийн фазын диаграммын онцлогоос хамаарч кристаллын гүйдэл зөөгчийн концентраци нь их байдаг. Ийм учраас сүүлийн үед Pb1-x Six Te-н бага концентрацитай кристаллыг ургуулахын тулд төрөл бүрийн аргыг хэрэглэх оролдлого хийгдэж байна. Уг судалгааны ажилд Pb1-x Six Te нэгдлийн кристаллыг шилжигч зоны аргаар ургуулах төхөөрөмжийг зохион бүтээж, түүн дээрээ туршилт явуулан монкристаллын нимгэн хальсийг гаргаж авсан болон ургуулсан кристаллын физик шинж чанарыг хэмжсэн хэмжилтийн үр дүнг нэгтгэн дүгнэсэн. Уг төхөөрөмж дээр гаргаж авсан кристаллын гүйдэл зөөгчийн концентраци нь 7ґ1018 6ґ1016 cm -3 хөдлөх чадвар нь 4ґ103 18ґ103cm2 v-1s байгаа нь Бриджмений аргаар гаргаж авсан кристаллаас физик технологийн шинж чанарын хувьд дээгүүр байгааг харуулснаар ийм аргыг сайн чанарын хагас дамжуулагч монкристаллыг ургуулахад хэрэглэж болох юм гэдгийг баталсан нь энэ ажлын гол үр дүн болж байна.
Зохиогч
